SMD транзистор 2SB1001 код BH, BJ
Transistor 2SB1001 SMD code BH, BJ
Кремниевый PNP низкочастотный транзистор общего применения
Особенности:
— Комплементарная пара с 2SD1367 (произ. RENESAS).
— Маркировка: BH, BJ, соответствующая значениям hFE.
— Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод | Назначение |
1 | База |
2 | Коллектор |
3 | Эмиттер |
Корпус | Коллектор |
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | -20 | В |
Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | -16 | В |
Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | -6 | В |
lc | Ток коллектора | — | — | — | -2 | А |
Icp | Ток коллектора импульсный | — | — | — | -3 | А |
Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) | Т = 25°С | — | — | 1 | Вт |
Icbo | Обратный ток коллектора | Vcb = -16 В, le = 0 | — | — | -0,1 | мкА |
hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = -2 В, lc = -100 мА | 100 | — | 320 | — |
Vce sat | Напряжение насыщения К-Э | lc = -1 A, lb = -100 мА | — | -0,15 | -0,3 | В |
Vbe sat | Напряжение насыщения Б-Э | — | -1 | -1,2 | В | |
fr | Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | Vce = -2 В, lc = -10 мА | — | 150 | — | МГц |
Cob | Выходная емкость | Vcb = -10 В, le = 0, f=1 МГц | — | 50 | — | пФ |
Значение параметра hFE для кодов данного элемента.
Код |
BH |
BJ |
hFE |
100…200 |
160…320 |