Alex 7788 posts 4 comments

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2V4 PZM2.4NB Zener diode 2.4V±2.5%, lf=250mA, 300mW SOT-346 Производитель Philips GmbH

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2V SMBTA64 Silicon pnp Darlington transistor General Purpose Applications, 30V, 500mA, 300mW, B>10000, >125MHz SOT-23 Производитель Infineon Technologies AG…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2V MMBTA64 Silicon pnp Darlington transistor General Purpose Applications, 30V, 500mA, 300mW, B>10000, >125MHz SOT-23 Производитель Motorola Inc.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2V KST64 Silicon npn Darlington transistor General Purpose Applications, 30V, 500mA, 350mW, B>10000, >125MHz SOT-23 Производитель Samsung Electronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2U SMBTA63 Silicon pnp Darlington transistor General Purpose Applications, 30V, 500mA, 300mW, B>5000, >125MHz SOT-23 Производитель Infineon Technologies AG…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2U MMBTA63 Silicon pnp Darlington transistor General Purpose Applications, 30V, 500mA, 300mW, B>5000, >125MHz SOT-23 Производитель Motorola Inc. www.motorola.com…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2U KST63 Silicon npn Darlington transistor General Purpose Applications, 30V, 500mA, 350mW, B>6000, >125MHz SOT-23 Производитель Samsung Electronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2T1L S9012LT1-L Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 40V, 500mA, 300mW, B=120..200, >150MHz SOT-23 Производитель Weitron Technology Co., Ltd…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2T1H S9012LT1-H Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 40V, 500mA, 300mW, B=200..350, >150MHz SOT-23 Производитель Weitron Technology Co., Ltd…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2T? GMBT4403 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 40V, 600mA, 225mW, B=30..100,200MHz SOT-23 Производитель GTM Corporation www.gtm.com.tw/