Alex 7788 posts 4 comments

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 110FC LC9009CB3TR110FC Voltage Detector integrated circuit 1.1V±2%, -Reset Push-Pull Output, Rtd=300ms SOT-23 Производитель Shanghai LeadChip Microelectronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 110FC BL8509-110FCRM Voltage Detector integrated circuit 1.1V±2%, -Reset Push-Pull Output, Td=300ms SOT-23 Производитель Shanghai Belling Co, Ltd. www.belling.com.cn…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 110EN LC9009CB3TR110EN Voltage Detector integrated circuit 1.1V±2%, -Reset Open Drain Output, Rtd=250ms SOT-23 Производитель Shanghai LeadChip Microelectronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 110EN BL8509-110ENRM Voltage Detector integrated circuit 1.1V±2%, -Reset Open Drain Output, Td=250ms SOT-23 Производитель Shanghai Belling Co, Ltd. www.belling.com.cn…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 10X Z02W10VX Zener diode 9.40..9.93V, lzt=5mA, Zzt=15?, 200mW SOT-23 Производитель Korea Electronics Co. Ltd www.kec.co.kr

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 10X TZT10XW Zener diode 9.40..9.93V, lzt=5mA, Zzt=15?, 200mW SOT-23 Производитель TAITRON Components Incorporated www.taitroncomponents.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 115 2STR1215 Silicon npn transistor Switching, 15V, 1.5A, 500mW, B=200..560, 60/310ns SOT-23 Производитель SGS-Thomson Microelectronics www.st.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 113 HZM11NB3 Zener diode 11.1..11.56V, lzt=5mA, 200mW SC-59A Производитель Renessas (Hitachi and Mitsubishi) Ltd. www.renesas.eu/

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 113 SST113 n-channel junction Field Effect Transistor (n-FET) Switching, 35V, 350mW, ldss=2mA, Rds(on)=100?, 2/6ns SOT-23 Производитель Calogic, LLC www.calogic.net/…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 113 PZM11NB3 Zener diode 11V±2.5%, lf=250mA, 300mW SOT-346 Производитель Philips GmbH