Alex 7788 posts 4 comments

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 3W Ucb,max 36V Uce,max 18V Ueb,max 4V Ic,max 600mA Tj,max 200єC Ft,max 175MHz Cctip,pF 30 Hfe 5MIN Производитель MOTOROLA Caps TO128 Применение VHF, Medium Power, Hihg…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 310mW Ucb,max 180V Uce,max 160V Ueb,max 6V Ic,max 600mA Tj,max 135єC Ft,max 100MHz Cctip,pF 6 Hfe 80/250 Производитель MOTOROLA Caps TO92 Применение RF, Medium Power,…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 310mW Ucb,max 160V Uce,max 140V Ueb,max 6V Ic,max 600mA Tj,max 135єC Ft,max 100MHz Cctip,pF 6 Hfe 80/250 Производитель MOTOROLA Caps TO92 Применение RF, Medium Power,…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 20W Ucb,max 45V Uce,max 30V Ueb,max 3V Ic,max 700mA Tj,max 175єC Ft,max 3GHz Cctip,pF 8 Hfe 20/250 Производитель TRW Caps TO128 Применение Ultra High Frequency, Medium…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 310mW Ucb,max 160V Uce,max 150V Ueb,max 5V Ic,max 600mA Tj,max 135єC Ft,max 100MHz Cctip,pF 6 Hfe 60/240 Производитель MOTOROLA Caps TO92 Применение RF, Medium Power,…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 310mW Ucb,max 130V Uce,max 120V Ueb,max 5V Ic,max 600mA Tj,max 135єC Ft,max 100MHz Cctip,pF 6 Hfe 40/180 Производитель MOTOROLA Caps TO92 Применение RF, Medium Power,…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 40W Ucb,max 55V Uce,max 35V Ueb,max 3V Ic,max 4A Tj,max 175єC Ft,max 200MHz Cctip,pF 30 Hfe 10/150 Производитель TRW Caps MD36 Применение RF, Power Аналоги: KT909A,…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 2W Ucb,max 400V Uce,max 350V Ueb,max 6V Ic,max 1A Tj,max 175єC Ft,max 50MHz Cctip,pF 15 Hfe 15/250 Производитель SIEMENS Caps TO5 Применение RF, Medium Power, High…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 310mW Ucb,max 35V Uce,max 30V Ueb,max 3V Ic,max 50mA Tj,max 135єC Ft,max 50MHz Cctip,pF 4 Hfe 300MIN Производитель FAIRCHILD Caps TO92 Применение Low Power, Low Noise,…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 310mW Ucb,max 50V Uce,max 50V Ueb,max 3V Ic,max 50mA Tj,max 135єC Ft,max 40MHz Cctip,pF 4 Hfe 250MIN Производитель MOTOROLA Caps TO92 Применение Low Power, Low Noise,…