Alex 7788 posts 4 comments

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 310mW Ucb,max 60V Uce,max 40V Ueb,max 6V Ic,max 600mA Tj,max 135єC Ft,max 200MHz Cctip,pF 7 Hfe 50/150 Производитель MOTOROLA Caps TO92 Применение Medium Power,…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 5W Ucb,max 175V Uce,max 140V Ueb,max 8V Ic,max 1A Tj,max 200єC Ft,max 20MHz Cctip,pF 25 Hfe 20/140 Производитель KELTRON Caps TO5 Применение Medium Power, High…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 5W Ucb,max 100V Uce,max 80V Ueb,max 6V Ic,max 1A Tj,max 200єC Ft,max 80MHz Cctip,pF - Hfe 15MIN Производитель STE Caps TO5 Применение Medium Power, High Voltage…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 1W Ucb,max 80V Uce,max 80V Ueb,max 7V Ic,max 3A Tj,max 200єC Ft,max 3MHz Cctip,pF 100 Hfe 30/150 Производитель MOTOROLA Caps TO5 Применение High Power, High Voltage,…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 310mW Ucb,max 25V Uce,max 25V Ueb,max 4V Ic,max 200mA Tj,max 135єC Ft,max 250MHz Cctip,pF 5 Hfe 120MIN Производитель FAIRCHILD Caps TO92 Применение Low Power, General…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 310mW Ucb,max 30V Uce,max 30V Ueb,max 4V Ic,max 200mA Tj,max 135єC Ft,max 200MHz Cctip,pF 5 Hfe 50/150 Производитель FAIRCHILD Caps TO92 Применение Low Power, General…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 310mW Ucb,max 30V Uce,max 25V Ueb,max 5V Ic,max 200mA Tj,max 135єC Ft,max 300MHz Cctip,pF 4 Hfe 120MIN Производитель FAIRCHILD Caps TO92 Применение Low Power, General…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 310mW Ucb,max 40V Uce,max 30V Ueb,max 5V Ic,max 200mA Tj,max 135єC Ft,max 240MHz Cctip,pF 4 Hfe 50/150 Производитель FAIRCHILD Caps TO92 Применение Low Power, General…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 360mW Ucb,max 30V Uce,max 30V Ueb,max 6V Ic,max 30mA Tj,max 150єC Ft,max - Cctip,pF - Hfe 45MIN Производитель TI Caps TO92 Применение Low Power, General Purpose…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 1W Ucb,max 120V Uce,max 100V Ueb,max 8V Ic,max 1A Tj,max 200єC Ft,max 40MHz Cctip,pF 60 Hfe 40/120 Производитель TI Caps TO5 Применение Medium Power, High Voltage…