Alex 7788 posts 4 comments

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 360mW Ucb,max 50V Uce,max 40V Ueb,max 5V Ic,max 200mA Tj,max 180єC Ft,max 250MHz Cctip,pF 6 Hfe 50/150 Производитель FAIRCHILD Caps TO18 Применение RF, Low Power,…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 117W Ucb,max 100V Uce,max 70V Ueb,max 7V Ic,max 15A Tj,max 200єC Ft,max 200KHz Cctip,pF - Hfe 20/70 Производитель MOTOROLA Caps TO3 Применение High Power, High…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 600mW Ucb,max 60V Uce,max 40V Ueb,max 5V Ic,max 600mA Tj,max 200єC Ft,max 200MHz Cctip,pF 8 Hfe 20/120 Производитель STE Caps TO39 Применение High-speed saturated…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 800mW Ucb,max 120V Uce,max 80V Ueb,max - Ic,max 500mA Tj,max 200єC Ft,max 90MHz Cctip,pF 15 Hfe 100MIN Производитель SEMELAB Caps TO5 Применение RF, Medium Power, High…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 1W Ucb,max 140V Uce,max 90V Ueb,max 7V Ic,max 1A Tj,max 200єC Ft,max 50MHz Cctip,pF 15 Hfe 60/200 Производитель FAIRCHILD Caps TO5 Применение Medium Power, High…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 360mW Ucb,max 40V Uce,max 15V Ueb,max 4V Ic,max 200mA Tj,max 200єC Ft,max 500MHz Cctip,pF 4 Hfe 40/120 Производитель FAIRCHILD Caps TO18 Применение Ultra High…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 150mW Ucb,max 50V Uce,max 35V Ueb,max 50V Ic,max 100mA Tj,max 200єC Ft,max 1MHz Cctip,pF 20 Hfe - Производитель CSR Caps TO18 Применение Low Power, General Purpose…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 150mW Ucb,max 50V Uce,max 35V Ueb,max 50V Ic,max 100mA Tj,max 200єC Ft,max 1MHz Cctip,pF 20 Hfe - Производитель CSR Caps TO18 Применение Low Power, General Purpose…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 150mW Ucb,max 30V Uce,max 15V Ueb,max 30V Ic,max 100mA Tj,max 200єC Ft,max 1MHz Cctip,pF 20 Hfe - Производитель CSR Caps TO18 Применение Low Power, General Purpose…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 150mW Ucb,max 50V Uce,max 35V Ueb,max 50V Ic,max 100mA Tj,max 200єC Ft,max 1MHz Cctip,pF 20 Hfe - Производитель CSR Caps TO18 Применение Low Power, General Purpose…