Просмотр архива категории
Эл.компоненты
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1V
TMPT6427
Silicon npn Darlington transistor
General Purpose Applications, 40V, 500mA, 350mW, B=10k..100k, >130MHz
SOT-23
Производитель
Allegro MicroSystems Inc.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1V
MMBT6427
Silicon npn Darlington transistor
Audio Frequency, 40V, 1.2A, 350mW, B=10.00..100.00, >130MHz
SOT-23
Производитель
National Semiconductor Corp.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1V
BF820
Silicon npn transistor
Video output stages, 300V, 50mA, 250mW, B>50, >60MHz
SOT-23
Производитель
ITT Intermetall www.itt-sc.de
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
-1U
PDTB123TT
Silicon pnp "digital" transistor
Switching, 50V, 500mA, 250mW, R1=2.2k
SOT-23
Производитель
NXP Hong Kong;
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1U
MMBT2484L
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 60V, 100mA, 300mW, B=250..800
SOT-23
Производитель
ON Semiconductor onsemi.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1U
KST2484
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 60V, 50mA, 350mW, B>250
SOT-23
Производитель
Samsung Electronics www.korea.samsungsemi.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1U
2SC3934
Silicon npn transistor
High Frequency, WB, Low Noise, 15V, 50mA, 150mW, B>40, 4.5GHz
SOT-323
Производитель
Panasonic (Matsushita) Electronics Corp.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1U
2SC3110
Silicon npn transistor
RF applications (>250 MHz), 15V, 30mA, 200mW, 4.5GHz, B>40
SC-59A
Производитель
Panasonic (Matsushita) Electronics Corp.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1TS
2SC4773-S
Silicon npn transistor
Radio Frequency applications, Switching, 6V, 50mA, B=270..560,800MHz
SOT-323
Производитель
Rohm Co., Ltd. www.rohm.co.jp
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1TR
2SC4773-R
Silicon npn transistor
Radio Frequency applications, Switching, 6V, 50mA, B=180..390,800MHz
SOT-323
Производитель
Rohm Co., Ltd. www.rohm.co.jp