Просмотр архива категории
Эл.компоненты
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Mp
BC848
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 30V, 100mA, 250mW, B=110..800, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1MN
2SC4128-N
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 40V, 100mA, 200mW, B=56..120, >230MHz
SOT-323
Производитель
Panasonic (Matsushita) Electronics…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1M8
CMSZ5261B Zener diode
47V±5%, 2.7mA, Zzt=105?, 275mW
SOT-323
Производитель
Central Semiconductor Corp. www.centralsemi.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1M5
TC591902ECB
Linear voltage regulator integrated circuit
Low drop voltage,-1.9V±2%, 200mA
SOT-23
Производитель
Microchip Technology Inc. www.microchip.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1M0
TC55RP192ECB
Linear voltage regulator integrated circuit
Low drop voltage, 1.9V±2%, 250mA
SOT-23
Производитель
Microchip Technology Inc. www.microchip.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1M
SMBTA13
Silicon npn Darlington transistor
General Purpose Applications, 30V, 300mA, 300mW, B>5000, >125MHz
SOT-23
Производитель
Infineon Technologies AG…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1M
R3131N44BC
Voltage Detector integrated circuit
4.4V±1.5%, +Reset Open Drain Output, 100ms
SOT-23
Производитель
Ricoh Co., Ltd www.ricoh.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1M
MMBTA13
Silicon npn Darlington transistor
General Purpose Applications, 30V, 300mA, 225mW, B>5000, >125MHz
SOT-23
Производитель
ON Semiconductor onsemi.com…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1M
KST13
Silicon npn Darlington transistor
General Purpose Applications, 30V, 300mA, 350mW, B>5000, >125MHz
SOT-23
Производитель
Samsung Electronics…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1M
IMBT3903
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 60V, 200mA, 250mW, B=50..150, >300MHz
SOT-23
Производитель
ITT Intermetall www.itt-sc.de