Просмотр архива категории
Эл.компоненты
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1M
FMMTA13
Silicon npn Darlington transistor
General Purpose Applications, 40V, 300mA, 330mW, B>10000
SOT-23
Производитель
Zetex plc. www.zetex.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1M
BC848W
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 30V, 100mA, 200mW, B=110..800, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips GmbH
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1M
BC848
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 30V, 100mA, 250mW, B=110..800, >100MHz
SOT-23
Производитель
Continental Device India Limited…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1M
BC846T
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 100mA, 150mW, B=110..450, >100MHz
SOT-416
Производитель
Philips GmbH
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1M
BC807A-16
Silicon pnp transistor
General Purpose Applications, 50V, 500mA, 350mW, B=100..250, >80MHz
SOT-23
Производитель
Korea Electronics Co. Ltd www.kec.co.kr…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1M
BC807-16
Silicon pnp transistor
General Purpose Applications, 50V, 500mA, 350mW, B=100..250, >80MHz
SOT-23
Производитель
Korea Electronics Co. Ltd www.kec.co.kr…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1LW
BC848C
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 30V, 100mA, 250mW, B=420..800, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips China;
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Lt
BC848CW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 30V, 100mA, 310mW, B=420..800, >300MHz
SOT-323
Производитель
Philips GmbH
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Ls
BC848CW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 30V, 100mA, 250mW, B=420..800,250MHz
SOT-323
Производитель
Infineon Technologies AG www.infineon.com…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Ls
BC848CT
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 30V, 100mA, 200mW, B=480, >100MHz
SOT-416
Производитель
Infineon Technologies AG www.infineon.com…