Просмотр архива категории
Эл.компоненты
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Ls
BC848C
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 30V, 100mA, 330mW, B=420..800,250MHz
SOT-23
Производитель
Siemens AG www.siemens.de
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1LQ
2SC4103-Q
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 30V, 30mA, 200mW, B=120..270, >110MHz
SOT-323
Производитель
Rohm Co., Ltd. www.rohm.co.jp
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1LP
2SC4103-P
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 30V, 30mA, 200mW, B=82..180, >110MHz
SOT-323
Производитель
Rohm Co., Ltd. www.rohm.co.jp
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Lp
BC848C
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 30V, 100mA, 250mW, B=420..800, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1LN
2SC4103-N
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 30V, 30mA, 200mW, B=56..120, >110MHz
SOT-323
Производитель
Rohm Co., Ltd. www.rohm.co.jp
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1LM
2SC4103-M
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 30V, 30mA, 200mW, B=39..82, >110MHz
SOT-323
Производитель
Rohm Co., Ltd. www.rohm.co.jp
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1L8
CMSZ5260B Zener diode
43V±5%, 3.0mA, Zzt=93?,275mW
SOT-323
Производитель
Central Semiconductor Corp. www.centralsemi.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1L5
TC591802ECB
Linear voltage regulator integrated circuit
Low drop voltage, -1.8V±2%, 200mA
SOT-23
Производитель
Microchip Technology Inc. www.microchip.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1L0
TC55RP182ECB
Linear voltage regulator integrated circuit
Low drop voltage, 1.8V±2%, 250mA
SOT-23
Производитель
Microchip Technology Inc. www.microchip.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
-1L
PMST6429
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, Hi-beta, 55V, 100mA, 200mW, B=250..650,100..700MHz
SOT-323
Производитель
Philips Hong Kong