Просмотр архива категории
Эл.компоненты
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1G
BC847CW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=420..800, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1G
BC847CT
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 150mW, B=420..800, >100MHz
SOT-416
Производитель
Philips GmbH
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1G
BC847CF
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=420..800,250MHz
SOT-490
Производитель
Philips GmbH
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1G
BC847C
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=420..800, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1FZ
FMBT5550
Silicon npn transistor
High Voltage, 140V, 600mA, 225mW, B=80..250, >300MHz
SOT-23
Производитель
Zetex plc. www.zetex.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1FW
BC847BW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=200..450, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips China;
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1FW
BC847B
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=200..450, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips China;
SMD транзистор 2SC2736 код TC
Transistor 2SC2736 SMD code TC
Кремниевый NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
Особенности:
- Типовое значение коэффициента шума - 4,0 дБ (f = 200 МГц).
- Маркировка:…
SMD транзистор 2SC2735 код JC
Transistor 2SC2735 SMD code JC
Кремниевый NPN высокочастотный транзистор для работы в радиочастотных схемах
Особенности:
- Типовое значение коэффициента шума - 6,5 дБ (f = 200 МГц).
- Маркировка:…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Ft
BC847BW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=200..450, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips, Malaysia (semiconductor…