Эл.компоненты

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 130A AAT60130A-S14 Voltage Detector integrated circuit 3.0V±2%, +Reset Open Drain Output TSOT-23 Производитель Advanced Analog Technology www.aatech.com.tw/index.aspx…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 130 HZM13NB Zener diode 12.47..13.96V, lzt=5mA, 200mW SC-59A Производитель Renessas (Hitachi and Mitsubishi) Ltd. www.renesas.eu/

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса -13 PDTA123YU Silicon pnp "digital" transistor Switching, 50V, 100mA, 200mW, R1/R2=2.2k/10k SOT-323 Производитель NXP Hong Kong;

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 13 Z02W13V Zener diode 12.40.. 14.10V, lzt=5mA, Zzt=15?, 200mW SOT-23 Производитель Korea Electronics Co. Ltd www.kec.co.kr

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 13 TZT13W Zener diode 12.40.. 14.10V, lzt=5mA, Zzt=15?, 200mW SOT-23 Производитель TAITRON Components Incorporated www.taitroncomponents.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 13 PDTA144VE Silicon pnp "digital" transistor Switching, 50V, 100mA, 150mW, R1/R2=47k/10k SOT-416 Производитель NXP Semiconductors (Philips)

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 13 PDTA123YK Silicon pnp "digital" transistor Switching, 50V, 100mA, 200mW, R1/R2=2.2k/10k SOT-346 Производитель NXP Semiconductors (Philips)

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 13 MMBD4148CA Silicon diode Dual, Switching, Fast, 75V, 200mA, 350mW, <4ns, 4pF SOT-23 Производитель National Semiconductor Corp. www.national.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 13 MMBD1703 Silicon diode Dual, Fast, 30V, 150mA, 350mW, Vf<1.1V(50mA), 0.7ns SOT-23 Производитель National Semiconductor Corp. www.national.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 13 MMBD1503 Silicon diode Dua 180V, 200mA, Vf<1.5V(300mA), <4pF SOT-23 Производитель National Semiconductor Corp. www.national.com