Эл.компоненты

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 11 PDTA114TE Silicon pnp "digital" transistor Switching, 50V, 100mA, 150mW, R1=10k SOT-416 Производитель NXP Semiconductors (Philips)

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 11 MRF9511 Silicon npn transistor RF applications (100...250MHz)/RF applications (>250 MHz), 20V, 100mA, 322mW, B=50..200,8GHz SOT-323 Производитель Motorola Inc.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 11 MMBD4148 Silicon diode Switching, Fast, 75V, 200mA, 350mW, <4ns, 4pF SOT-23 Производитель National Semiconductor Corp. www.national.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 11 MMBD1701 Silicon diode Fast, 30V, 150mA, 350mW, Vf<1.1V(50mA), 0.7ns SOT-23 Производитель National Semiconductor Corp. www.national.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 11 MMBD1501 Silicon diode Switching, 180V, 200mA, Vf<1.5V(300mA), <4pF SOT-23 Производитель National Semiconductor Corp. www.national.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 11 ELM9711NBB Voltage Detector integrated circuit 1.1V±2.5%, +Reset Open Drain Output SOT-23 Производитель ELM Technology Corporation www.elm-tech.com/

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 11 CH715MCPT Silicon diode Dual, Schottky Barrier Diode, 40 V, 30mA, Vf<0.37V(1mA) SOT-723 Производитель Chenmko Enterprise Co., Ltd. www.chenmko.com/

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 110EC LC9009CB3TR110EC Voltage Detector integrated circuit 1.1V±2%, -Reset Push-Pull Output, Rtd=250ms SOT-23 Производитель Shanghai LeadChip Microelectronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 110DN LC9009CB3TR110DN Voltage Detector integrated circuit 1.1V±2%, -Reset Open Drain Output, Rtd=200ms SOT-23 Производитель Shanghai LeadChip Microelectronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 110EC BL8509-110ECRM Voltage Detector integrated circuit 1.1V±2%, -Reset Push-Pull Output, Td=250ms SOT-23 Производитель Shanghai Belling Co, Ltd. www.belling.com.cn…