Просмотр архива категории
Эл.компоненты
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
10X
Z02W10VX
Zener diode
9.40..9.93V, lzt=5mA, Zzt=15?, 200mW
SOT-23
Производитель
Korea Electronics Co. Ltd www.kec.co.kr
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
10X
TZT10XW
Zener diode
9.40..9.93V, lzt=5mA, Zzt=15?, 200mW
SOT-23
Производитель
TAITRON Components Incorporated www.taitroncomponents.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
115
2STR1215
Silicon npn transistor
Switching, 15V, 1.5A, 500mW, B=200..560, 60/310ns
SOT-23
Производитель
SGS-Thomson Microelectronics www.st.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
113
HZM11NB3
Zener diode
11.1..11.56V, lzt=5mA, 200mW
SC-59A
Производитель
Renessas (Hitachi and Mitsubishi) Ltd. www.renesas.eu/
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
113
SST113
n-channel junction Field Effect Transistor (n-FET)
Switching, 35V, 350mW, ldss=2mA, Rds(on)=100?, 2/6ns
SOT-23
Производитель
Calogic, LLC www.calogic.net/…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
113
PZM11NB3
Zener diode
11V±2.5%, lf=250mA, 300mW
SOT-346
Производитель
Philips GmbH
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
113
DTA143ZUA
Silicon pnp "digital" transistor
Switching, 50V, 100mA, 200mW, 250MHz, R1/R2=4k7/47k
UMT3
Производитель
Rohm Co., Ltd. www.rohm.co.jp
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
112
HZM11NB2
Zener diode
10.76..11.22V, lzt=5mA, 200mW
SC-59A
Производитель
Renessas (Hitachi and Mitsubishi) Ltd. www.renesas.eu/
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
112
SST112
n-channel junction Field Effect Transistor (n-FET)
Switching, 35V, 350mW, ldss=5mA, Rds(on)=50?, 2/6ns
SOT-23
Производитель
Calogic, LLC www.calogic.net/…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
112
PZM11NB2
Zener diode
11V±2.5%, lf=250mA, 300mW
SOT-346
Производитель
Philips GmbH