Просмотр архива категории
Эл.компоненты
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура pnpPc,max 180mWUcb,max 40VUce,max 35VUeb,max 3VIc,max 30mATj,max 150єCFt,max 900MHzCctip,pF 0.4Hfe 25/50Производитель SIEMENSCaps TO50Применение Аналоги: KT3109V,
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура pnpPc,max 335mWUcb,max 300VUce,max 300VUeb,max 5VIc,max 25mATj,max 150єCFt,max 60MHzCctip,pF 1.8Hfe 50MINПроизводитель TELEFUNKENCaps SOT23Применение Power, TV DeflectionАналоги:
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 335mWUcb,max 300VUce,max 300VUeb,max 5VIc,max 25mATj,max 150єCFt,max 60MHzCctip,pF 1.8Hfe 50MINПроизводитель TELEFUNKENCaps SOT23Применение Power, TV DeflectionАналоги:
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 110mWUcb,max 40VUce,max 25VUeb,max 4VIc,max 25mATj,max 150єCFt,max 350MHzCctip,pF 0.3Hfe 38MINПроизводитель SIEMENSCaps TO226Применение RF, Medium Power General PurposeАналоги:…
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 250mWUcb,max 30VUce,max 20VUeb,max 5VIc,max 30mATj,max 150єCFt,max 130MHzCctip,pF 1Hfe 35/125Производитель TICaps TO92Применение RF, Medium PowerАналоги: BF185,
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура pnpPc,max 200mWUcb,max 40VUce,max 35VUeb,max 3VIc,max 30mATj,max 150єCFt,max 600MHzCctip,pF 0.3Hfe 25MINПроизводитель PHILIPSCaps SOT23Применение Аналоги:
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 200mWUcb,max 30VUce,max 20VUeb,max 3VIc,max 30mATj,max 150єCFt,max 130MHzCctip,pF 0.3Hfe 115TПроизводитель SIEMENSCaps SOT23Применение VHF, Low PowerАналоги:
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура pnpPc,max 250mWUcb,max 40VUce,max 35VUeb,max 4VIc,max 30mATj,max 150єCFt,max 250MHzCctip,pF 1.2Hfe 20MINПроизводитель STECaps TO92Применение RF, Medium Power General PurposeАналоги: BF414,…
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура pnpPc,max 625mWUcb,max 300VUce,max 300VUeb,max 8VIc,max 500mATj,max 150єCFt,max 50MHzCctip,pF 1.6Hfe 25MINПроизводитель MOTOROLACaps TO92Применение RF, Medium Power, High VoltageАналоги: BFT44, …
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура pnpPc,max 625mWUcb,max 250VUce,max 250VUeb,max 8VIc,max 500mATj,max 150єCFt,max 50MHzCctip,pF 1.6Hfe 25MINПроизводитель MOTOROLACaps TO92Применение RF, Medium Power, High VoltageАналоги: BFT44, …