Просмотр архива категории
Эл.компоненты
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2BX
TZT2.2XW
Zener diode
2.05..2,26V, lzt=5mA, Zzt=100?, 200mW
SOT-23
Производитель
TAITRON Components Incorporated www.taitroncomponents.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2BW
BC849BW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 30V, 100mA, 200mW, B=200..450, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips China;
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2BW
BC849B
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 30V, 100mA, 250mW, B=200..450, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips China;
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2Bt
BC849BW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 30V, 100mA, 200mW, B=200..450, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips, Malaysia (semiconductor…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2BS
2SK374-S
n-channel junction Field Effect Transistor (n-FET)
Audio Frequency, Switching, 55V, 30mA, 200mW, ldss=10..20mA, Up<5V
SC-59
Производитель
Panasonic…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2BS
2SK2593-S
n-channel junction Field Effect Transistor (n-FET)
Audio Frequency, Switching, 55V, ±30mA, 125mW, ldss=10..20mA
SC-89
Производитель
Panasonic…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2BS
2SK0374-S
n-channel junction Field Effect Transistor (n-FET)
Audio Frequency, Switching, 55V, 30mA, 200mW, ldss=10..20mA, Up<5V
SC-59
Производитель
Panasonic…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2Bs
BC849BW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 30V, 100mA, 250mW, B=200..450,250MHz
SOT-323
Производитель
Infineon Technologies AG www.infineon.com…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2Bs
BC849BT
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 30V, 100mA, 200mW, B=250, >100MHz
SOT-416
Производитель
Infineon Technologies AG www.infineon.com…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2Bs
BC849B
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 30V, 100mA, 330mW, B=200..450,250MHz
SOT-23
Производитель
Siemens AG www.siemens.de