Эл.компоненты

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2B YTS2907 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 40V, 600mA, 330mW, B=100..300, >200MHz SOT-23 Производитель Toshiba Corporation www.toshiba.com…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2B TZT2.2W Zener diode 2.05..2,38V, lzt=5mA, Zzt=100?, 200mW SOT-23 Производитель TAITRON Components Incorporated www.taitroncomponents.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2B TMPT2907 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 40/40V, 500mA, 310mW, B=100..300, >200MHz SOT-23 Производитель Allegro MicroSystems Inc.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2B SMBT2907 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 40V, 500mA, 310mW, B=100..300, >200MHz SOT-23 Производитель Infineon Technologies AG…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2B R3131N22EC Voltage Detector integrated circuit 2.2V±1.5%, +Reset Open Drain Output, 240ms SOT-23 Производитель Ricoh Co., Ltd www.ricoh.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2B PDTC123TE Silicon npn "digital" transistor Switching, 50V, 100mA, 150mW, R1=2.2k SOT-416 Производитель NXP Semiconductors (Philips)

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2B MMBT2907 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 40V, 500mA, 310mW, B=100..300, >200MHz SOT-23 Производитель Vishay Semiconductor GmbH…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2B KST2907 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 40V, 600mA, 350mW, B>75, >200MHz SOT-23 Производитель Samsung Electronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2B BC849BW Silicon npn transistor General Purpose Applications, 30V, 100mA, 200mW, B=200..450, >100MHz SOT-323 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2B BC849BT Silicon npn transistor General Purpose Applications, 30V, 100mA, 200mW, B=250, >100MHz SOT-416 Производитель Philips GmbH