Просмотр архива категории
Эл.компоненты
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2B
YTS2907
Silicon pnp transistor
General Purpose Applications, 40V, 600mA, 330mW, B=100..300, >200MHz
SOT-23
Производитель
Toshiba Corporation www.toshiba.com…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2B
TZT2.2W
Zener diode
2.05..2,38V, lzt=5mA, Zzt=100?, 200mW
SOT-23
Производитель
TAITRON Components Incorporated www.taitroncomponents.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2B
TMPT2907
Silicon pnp transistor
General Purpose Applications, 40/40V, 500mA, 310mW, B=100..300, >200MHz
SOT-23
Производитель
Allegro MicroSystems Inc.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2B
SMBT2907
Silicon pnp transistor
General Purpose Applications, 40V, 500mA, 310mW, B=100..300, >200MHz
SOT-23
Производитель
Infineon Technologies AG…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2B
R3131N22EC
Voltage Detector integrated circuit
2.2V±1.5%, +Reset Open Drain Output, 240ms
SOT-23
Производитель
Ricoh Co., Ltd www.ricoh.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2B
PDTC123TE
Silicon npn "digital" transistor
Switching, 50V, 100mA, 150mW, R1=2.2k
SOT-416
Производитель
NXP Semiconductors (Philips)
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2B
MMBT2907
Silicon pnp transistor
General Purpose Applications, 40V, 500mA, 310mW, B=100..300, >200MHz
SOT-23
Производитель
Vishay Semiconductor GmbH…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2B
KST2907
Silicon pnp transistor
General Purpose Applications, 40V, 600mA, 350mW, B>75, >200MHz
SOT-23
Производитель
Samsung Electronics…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2B
BC849BW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 30V, 100mA, 200mW, B=200..450, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2B
BC849BT
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 30V, 100mA, 200mW, B=250, >100MHz
SOT-416
Производитель
Philips GmbH