SMD

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Q MMBT5087 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, Low Noise, 50V, 50mA, 225mW, B=250..800, >40MHz SOT-23 Производитель Motorola Inc. www.motorola.com…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Q KST5088 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 5V, 50mA, 350mW, B=300..900, >50MHz SOT-23 Производитель Samsung Electronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Q FMMT5088 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 35V, 50mA, 330mW, B=300..900, >50MHz SOT-23 Производитель Zetex plc. www.zetex.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1P8 CMSZ5263B Zener diode 56V±5%, 2.2mA, Zzt=150?, 275mW SOT-323 Производитель Central Semiconductor Corp. www.centralsemi.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1P- 2SC2411KPT-R Silicon npn transistor Switching, 40V, 500mA, 225mW, B=180..390,250MHz SOT-23 Производитель Chenmko Enterprise Co., Ltd. www.chenmko.com/

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса -1P PMST2222A Silicon npn transistor Switching, 75V, 600mA, 200mW, B=120..300, >300MHz SOT-323 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1P YTS2222A Silicon npn transistor General Purpose Applications, 75V, 0.8A, 200mW, B=100..300, >200MHz SOT-23 Производитель Toshiba Corporation www.toshiba.com…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1P TMPT2222A Silicon npn transistor General Purpose Applications, 75V, 0.8A, 200mW, B=100..300, >200MHz SOT-23 Производитель Allegro MicroSystems Inc.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1P SMBT2222A Silicon npn transistor General Purpose Applications, 75V, 600mA, 330mW, B=120..360, >300MHz SOT-23 Производитель Infineon Technologies AG…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1P R3131N44HC Voltage Detector integrated circuit 4.4V±1.5%, +Reset Open Drain Output, 400ms SOT-23 Производитель Ricoh Co., Ltd www.ricoh.com