SMD

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 10Q 2SK662-Q n-channel junction Field Effect Transistor (n-FET) Small Signal Amplifierlifier, 30V, 20mA, 150mW, ldss=2..6mA, Up<0.8V SOT-323 Производитель Panasonic…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 10Q 2SK198-Q n-channel junction Field Effect Transistor (n-FET) Audio Frequency, Low Noise, 30V, ±20mA, 150mA, ldss=2..6mA, Up<1.5V SOT-23 Производитель Panasonic…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 10P 2SK662-P n-channel junction Field Effect Transistor (n-FET) Small Signal Amplifierlifier, 30V, 20mA, 150mW, ldss=0.5..3mA, Up<0.8V SOT-323 Производитель…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 10P 2SK198-P n-channel junction Field Effect Transistor (n-FET) Audio Frequency, Low Noise, 30V, ±20mA, 150mA, ldss=0.5..3mA, Up<1.5V SOT-23 Производитель Panasonic…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1NW BAP70-04W PIN-diode Dual Radio Frequency applications, 50V, 100mA, 260mW, 0.6pF, 1.4?(100mA/100MHz) SOT-323 Производитель Philips China;

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Nt BAP70-04W PIN-diode Dual Radio Frequency applications, 50V, 100mA, 260mW, 0.6pF, 1.4?(100mA/100MHz) SOT-323 Производитель Philips, Malaysia (semiconductor…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Np BAP70-04W PIN-diode Dual Radio Frequency applications, 50V, 100mA, 260mW, 0.6pF, 1.4?(100mA/100MHz) SOT-323 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1N8 ZXTP749F Silicon pnp transistor Switching, Driver, 35V, 3A, 725mW, B=200..500 SOT-23 Производитель Zetex plc. www.zetex.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1N8 CMSZ5262B Zener diode 51V±5%, 2.5mA, Zzt=125?, 275mW SOT-323 Производитель Central Semiconductor Corp. www.centralsemi.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1N5 ZXT11N15DFTC Silicon npn transistor Low collector-emitter saturation voltage, Switching, 40V, 3A, 625mW, B=200..900,145MHz SOT-23 Производитель Zetex plc.…