SMD

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1P MMBT2222AW Silicon npn transistor General Purpose Applications, 75V, 800mA, 200mW, B=100..300, >200MHz SOT-323 Производитель Motorola Inc. www.motorola.com…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1P MMBT2222AT Silicon npn transistor General Purpose Applications, 75V, 800mA, 200mW, B=100..300, >200MHz SOT-23 Производитель Diodes Inc. www.diodes.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1P MMBT2222A Silicon npn transistor General Purpose Applications, 75V, 800mA, 200mW, B=100..300, >200MHz SOT-23 Производитель Motorola Inc. www.motorola.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1P MBT2222A Silicon npn transistor General Purpose Applications, 75V, 600mA, 250mW, B>40, 300MHz SOT-23 Производитель Toshiba Corporation www.toshiba.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1P KST2222A Silicon npn transistor General Purpose Applications, 75V, 600mA, 350mW, B>75, >300MHz SOT-23 Производитель Samsung Electronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1P FMMT2222A Silicon npn transistor General Purpose Applications, 75V, 600mA, 330mW, B=120..360, >300MHz SOT-23 Производитель Zetex plc. www.zetex.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1P BC807A-40 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 50V, 500mA, 350mW, B=250..630, >80MHz SOT-23 Производитель Korea Electronics Co. Ltd www.kec.co.kr…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1P BC807-40 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 50V, 500mA, 350mW, B=250..630, >80MHz SOT-23 Производитель Korea Electronics Co. Ltd www.kec.co.kr…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 10R 2SK662-R n-channel junction Field Effect Transistor (n-FET) Small Signal Amplifierlifier, 30V, 20mA, 150mW, ldss=4..12mA, Up<0.8V SOT-323 Производитель…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 10R 2SK198-R n-channel junction Field Effect Transistor (n-FET) Audio Frequency, Low Noise, 30V, ±20mA, 150mA, ldss=4..12mA, Up<1.5V SOT-23 Производитель Panasonic…