SMD

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1MN 2SC4128-N Silicon npn transistor General Purpose Applications, 40V, 100mA, 200mW, B=56..120, >230MHz SOT-323 Производитель Panasonic (Matsushita) Electronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1M8 CMSZ5261B Zener diode 47V±5%, 2.7mA, Zzt=105?, 275mW SOT-323 Производитель Central Semiconductor Corp. www.centralsemi.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1M5 TC591902ECB Linear voltage regulator integrated circuit Low drop voltage,-1.9V±2%, 200mA SOT-23 Производитель Microchip Technology Inc. www.microchip.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1M0 TC55RP192ECB Linear voltage regulator integrated circuit Low drop voltage, 1.9V±2%, 250mA SOT-23 Производитель Microchip Technology Inc. www.microchip.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1M SMBTA13 Silicon npn Darlington transistor General Purpose Applications, 30V, 300mA, 300mW, B>5000, >125MHz SOT-23 Производитель Infineon Technologies AG…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1M R3131N44BC Voltage Detector integrated circuit 4.4V±1.5%, +Reset Open Drain Output, 100ms SOT-23 Производитель Ricoh Co., Ltd www.ricoh.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1M MMBTA13 Silicon npn Darlington transistor General Purpose Applications, 30V, 300mA, 225mW, B>5000, >125MHz SOT-23 Производитель ON Semiconductor onsemi.com…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1M KST13 Silicon npn Darlington transistor General Purpose Applications, 30V, 300mA, 350mW, B>5000, >125MHz SOT-23 Производитель Samsung Electronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1M IMBT3903 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 60V, 200mA, 250mW, B=50..150, >300MHz SOT-23 Производитель ITT Intermetall www.itt-sc.de

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1M FMMTA13 Silicon npn Darlington transistor General Purpose Applications, 40V, 300mA, 330mW, B>10000 SOT-23 Производитель Zetex plc. www.zetex.com