SMD

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1N FMMTA14 Silicon npn Darlington transistor General Purpose Applications, 40V, 300mA, 330mW, B>20000, >125MHz SOT-23 Производитель Zetex plc. www.zetex.com…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1N BC847T Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 150mW, B=110..800, >100MHz SOT-416 Производитель Philips GmbH

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1N BC807A-25 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 50V, 500mA, 350mW, B=160..400, >80MHz SOT-23 Производитель Korea Electronics Co. Ltd www.kec.co.kr…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1N BC807-25 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 50V, 500mA, 350mW, B=160..400, >80MHz SOT-23 Производитель Korea Electronics Co. Ltd www.kec.co.kr…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1MW BC848 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 30V, 100mA, 250mW, B=110..800, >100MHz SOT-23 Производитель Philips China;

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1MR 2SJ84-R p-channel junction Field Effect Transistor (p-FET) General Purpose Applications, 15V, 20mA, 200mW, ldss=0.5..12mA, Up<3V SOT-23 Производитель Panasonic…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1MQ 2SJ84-Q p-channel junction Field Effect Transistor (p-FET) General Purpose Applications, 15V, 20mA, 200mW, ldss=2..6mA, Up<3V SOT-23 Производитель Panasonic…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1MP 2SJ84-P p-channel junction Field Effect Transistor (p-FET) General Purpose Applications, 15V, 20mA, 200mW, ldss=0.5..3mA, Up<3V SOT-23 Производитель Panasonic…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1MP 2SC4128-P Silicon npn transistor General Purpose Applications, 40V, 100mA, 200mW, B=82..180, >230MHz SOT-323 Производитель Panasonic (Matsushita) Electronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Mp BC848 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 30V, 100mA, 250mW, B=110..800, >100MHz SOT-23 Производитель Philips Hong Kong