SMD

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1N5 ZXT11N15DFTA Silicon npn transistor Low collector-emitter saturation voltage, Switching, 40V, 3A, 625mW, B=200..900,145MHz SOT-23 Производитель Zetex plc.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1N? GMBTA14 Silicon npn Darlington transistor General Purpose Applications, 30V, 500mA, 225mW, B=10k..20k, 125MHz SOT-23 Производитель GTM Corporation www.gtm.com.tw/…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1N TMPTA14 Silicon npn Darlington transistor General Purpose Applications, 30V, 500mA, 350mW, B>10000, >125MHz SOT-23 Производитель Allegro MicroSystems Inc.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1N SMBTA14 Silicon npn Darlington transistor General Purpose Applications, 30V, 300mA, 300mW, B>10000, >125MHz SOT-23 Производитель Infineon Technologies AG…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1N R3131N44DC Voltage Detector integrated circuit 4.4V±1.5%, +Reset Open Drain Output, 200ms SOT-23 Производитель Ricoh Co., Ltd www.ricoh.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1N MMBTA14 Silicon npn Darlington transistor General Purpose Applications, 30V, 300mA, 300mW, B>10000, >125MHz SOT-23 Производитель Vishay Semiconductor GmbH…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1N MMBT3904T Silicon npn transistor General Purpose Applications, 60V, 200mA, 250mW, B=100..300, >300MHz SOT-23 Производитель Diodes Inc. www.diodes.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1N MMBT3904 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 60V, 100mA, 200mW, B= 100..300, >300MHz SOT-23 Производитель Vishay Semiconductor GmbH…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1N KST14 Silicon npn Darlington transistor General Purpose Applications, 30V, 300mA, 350mW, B>10000, >125MHz SOT-23 Производитель Samsung Electronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1N IMBT3904 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 60V, 200mA, 250mW, B=100..300, >300MHz SOT-23 Производитель ITT Intermetall www.itt-sc.de