SMD

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1JC2 81C18-P-AE3-2 Voltage Detector integrated circuit 1.8V±2%, -Reset Push-Pull Output SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd. www.unisonic.com.tw…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1JA MMBT2369A Silicon npn transistor Switching, 40V, 200mA, 330mW, B=40..120 SOT-23 Производитель Motorola Inc. www.motorola.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1J8 CMSZ5258B Zener diode 36V±5%, 3.4mA, Zzt=70?, 275mW SOT-323 Производитель Central Semiconductor Corp. www.centralsemi.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса -1J PMST2369 Silicon npn transistor Switching, 40V, 200mA, 200mW, B=40..120, >500MHz SOT-323 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1J R3131N41EA Voltage Detector integrated circuit 4.1V±1.5%, +Reset Push-Pull Output, 240ms SOT-23 Производитель Ricoh Co., Ltd www.ricoh.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1J MMBT2369 Silicon npn transistor Switching, 40V, 200mA, 330mW, B=40..120 SOT-23 Производитель Motorola Inc. www.motorola.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1J FMMT2369 Silicon npn transistor Switching, 40V, 200mA, 330mW, B=40..120 SOT-23 Производитель Zetex plc. www.zetex.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1J BC848AW Silicon npn transistor General Purpose Applications, 30V, 100mA, 310mW, B=110..220, >300MHz SOT-323 Производитель ON Semiconductor onsemi.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1J BC848AT Silicon npn transistor General Purpose Applications, 30V, 100mA, 200mW, B=140, >100MHz SOT-416 Производитель Philips GmbH

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1J BC848AF Silicon npn transistor General Purpose Applications, 30V, 100mA, 200mW, B=110..220,150MHz SOT-490 Производитель Philips GmbH