SMD

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1C MMBTA20 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 40V, 100mA, 225mW, B40..400, >125MHz SOT-23 Производитель Motorola Inc. www.motorola.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1C KST20 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 40V, 100mA, 350mW, B=40..400, >125MHz SOT-23 Производитель Samsung Electronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1C IRLML6302 p-channel junction Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (p-MOSFET) Vertical Metal Oxide Semiconductor, LogL, 20V, 0.78A, <0.60 SOT-23…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1C FMMTA20 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 40V, 100mA, 330mW, B=40..400, >125MHz SOT-23 Производитель Zetex plc. www.zetex.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1C BC846C Silicon npn transistor General Purpose Applications, 80V, 100mA, 300mW, B=110..220, >100MHz SOT-23 Производитель Motorola Inc. www.motorola.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1BZ FMMT2222 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 60V, 600mA, 330mW, B=100..300, >250MHz SOT-23 Производитель Zetex plc. www.zetex.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1BW BC846BW Silicon npn transistor General Purpose Applications, 80V, 100mA, 200mW, B=200..450, >100MHz SOT-323 Производитель Philips China;

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1BW BC846B Silicon npn transistor General Purpose Applications, 80V, 100mA, 250mW, B=200..450, >100MHz SOT-23 Производитель Philips China;

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Bt BC846BW Silicon npn transistor General Purpose Applications, 80V, 100mA, 200mW, B=200..450, >100MHz SOT-323 Производитель Philips, Malaysia (semiconductor…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Bt BC846B Silicon npn transistor General Purpose Applications, 80V, 100mA, 250mW, B=200..450, >100MHz SOT-23 Производитель Philips, Malaysia (semiconductor…