Просмотр архива категории
SMD
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2H
BC850
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=200..800, >100MHz
SOT-23
Производитель
Continental Device India Limited…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2GW
BC850CW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=420..800, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips China;
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2GW
BC850C
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=420..800, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips China;
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2GT
SOA56
Silicon pnp transistor
Audio Frequency-Driver, 80V, 500mA, 300mW, B>100, >50MHz
SOT-23
Производитель
SGS-Thomson Microelectronics www.st.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2Gt
BC850CW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=420..800, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips, Malaysia (semiconductor…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2Gs
BC850CT
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=480, >100MHz
SOT-416
Производитель
Infineon Technologies AG www.infineon.com…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2Gs
BC850C
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 330mW, B=420.-800,250MHz
SOT-23
Производитель
Siemens AG www.siemens.de
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2Gp
BC850C
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=420..800, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2GN5L
81N26L-P-AE3-5
Voltage Detector integrated circuit
2.6V±2%, -Reset Open Drain Output, lead free
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2GN5G
81N26G-P-AE3-5
Voltage Detector integrated circuit
2.6V±2%, -Reset Open Drain Output, halogen free
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd.…