SMD

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2C Z02W2.4V Zener diode 2.28..2,60V, lzt=5mA, Zzt=100?, 200mW SOT-23 Производитель Korea Electronics Co. Ltd www.kec.co.kr

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2C TZT2.4W Zener diode 2.28..2,60V, lzt=5mA, Zzt=100?, 200mW SOT-23 Производитель TAITRON Components Incorporated www.taitroncomponents.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2C TMPTA70 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 40V, 100mA, 350mW, B=40..100, >125MHz SOT-23 Производитель Allegro MicroSystems Inc.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2C SMBTA70 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 40V, 100mA, 350mW, B=40..100, >125MHz SOT-23 Производитель Infineon Technologies AG www.infineon.com…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2C R3131N32EC Voltage Detector integrated circuit 3.2V±1.5%, +Reset Open Drain Output, 240ms SOT-23 Производитель Ricoh Co., Ltd www.ricoh.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2C BC849CW Silicon npn transistor General Purpose Applications, 30V, 100mA, 200mW, B=420..800, >100MHz SOT-323 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2C BC849CT Silicon npn transistor General Purpose Applications, 30V, 100mA, 200mW, B=480, >100MHz SOT-416 Производитель Philips GmbH

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2C BC849C Silicon npn transistor General Purpose Applications, 30V, 100mA, 250mW, B=420..800, >100MHz SOT-23 Производитель Philips, Malaysia (semiconductor…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2C 2SJ536 p-channel junction Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (p-MOSFET) Switching, 30V, 100mA, 150mW, 50?(10mA), 8ms SOT-323 Производитель Panasonic…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2C 2SJ0536 p-channel junction Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (p-MOSFET) Vertical Metal Oxide Semiconductor, LogL, 30V, 100mA, <750 SOT-323…