SMD

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2B MMBT2907 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 40V, 500mA, 310mW, B=100..300, >200MHz SOT-23 Производитель Vishay Semiconductor GmbH…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2B KST2907 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 40V, 600mA, 350mW, B>75, >200MHz SOT-23 Производитель Samsung Electronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2B BC849BW Silicon npn transistor General Purpose Applications, 30V, 100mA, 200mW, B=200..450, >100MHz SOT-323 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2B BC849BT Silicon npn transistor General Purpose Applications, 30V, 100mA, 200mW, B=250, >100MHz SOT-416 Производитель Philips GmbH

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2B BC849B Silicon npn transistor General Purpose Applications, 30V, 100mA, 250mW, B=200..450, >100MHz SOT-23 Производитель Philips, Malaysia (semiconductor…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2B 2N2907 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 60V, 600mA, 330mW, B=100..300, >200MHz SOT-23 Производитель National Semiconductor Corp.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2AZ Z02W2.0VZ Zener diode 1.95..2.15V, lzt=5mA, Zzt=100?, 200mW SOT-23 Производитель Korea Electronics Co. Ltd www.kec.co.kr

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2AZ TZT2.0ZW Zener diode 1.95..2.15V, lzt=5mA, Zzt=100?, 200mW SOT-23 Производитель TAITRON Components Incorporated www.taitroncomponents.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2AX Z02W2.0VX Zener diode 1.85..2,05V, lzt=5mA, Zzt=100?, 200mW SOT-23 Производитель Korea Electronics Co. Ltd www.kec.co.kr

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2AX TZT2.0XW Zener diode 1.85..2,05V, lzt=5mA, Zzt=100?, 200mW SOT-23 Производитель TAITRON Components Incorporated www.taitroncomponents.com