Просмотр архива категории
Транзисторы
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 60WUcb,max 400VUce,max 200VUeb,max 6VIc,max 10ATj,max 150єCFt,max 5MHzCctip,pF -Hfe 10MINПроизводитель STECaps TOP66Применение RF, Power, High VoltageАналоги: BU104D, 2SC2335, 2SC2502,…
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 12.5WUcb,max 1700VUce,max 800VUeb,max 5VIc,max 6ATj,max 115єCFt,max 3MHzCctip,pF -Hfe 2MINПроизводитель CDILCaps TO3Применение Power, TV DeflectionАналоги: BU308,
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 12.5WUcb,max 1500VUce,max 700VUeb,max 5VIc,max 8ATj,max 115єCFt,max 4MHzCctip,pF 125Hfe 2MINПроизводитель STECaps TO3Применение High Voltage Fast SwitchingАналоги: BU508A, 2SC1308K, …
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 12.5WUcb,max 1500VUce,max 700VUeb,max 5VIc,max 7.5ATj,max 115єCFt,max 3MHzCctip,pF 125Hfe 2MINПроизводитель CDILCaps TO3Применение High Voltage Fast SwitchingАналоги: BU508A, BU208A, …
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 12WUcb,max 1300VUce,max 600VUeb,max 5VIc,max 7.5ATj,max 115єCFt,max 3MHzCctip,pF 80Hfe 2MINПроизводитель CDILCaps TO3Применение Power, TV DeflectionАналоги: BU208A, KT838A,
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 30WUcb,max 750VUce,max 300VUeb,max -Ic,max 3ATj,max 125єCFt,max 4MHzCctip,pF -Hfe 15/60Производитель CDILCaps TO3Применение RF, Power, SwitchingАналоги: 2N5157, BU326, BU326A, KT704V, …
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 50WUcb,max 325VUce,max 140VUeb,max 8VIc,max 40ATj,max 150єCFt,max 10MHzCctip,pF -Hfe 8MINПроизводитель TICaps TO3Применение Аналоги: BUY69C, KT812V, KT812B,
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 10WUcb,max 36VUce,max 18VUeb,max 4VIc,max 1.5ATj,max 200єCFt,max 800MHzCctip,pF Hfe 10MINПроизводитель STECaps M122Применение UHF, Power, High CurrentАналоги:
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 5.5WUcb,max 36VUce,max 18VUeb,max 4VIc,max 800mATj,max 200єCFt,max 1GHzCctip,pF Hfe 10MINПроизводитель STECaps M122Применение Ultra High Frequency, Medium PowerАналоги:
Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 21WUcb,max 40VUce,max 27VUeb,max Ic,max 4ATj,max 200єCFt,max 2GHzCctip,pF Hfe 20MINПроизводитель PHILIPSCaps M164Применение RF, Power, General PurposeАналоги:
