Транзисторы

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 310mW Ucb,max 130V Uce,max 120V Ueb,max 5V Ic,max 600mA Tj,max 135єC Ft,max 100MHz Cctip,pF 6 Hfe 40/180 Производитель MOTOROLA Caps TO92 Применение RF, Medium Power,…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 40W Ucb,max 55V Uce,max 35V Ueb,max 3V Ic,max 4A Tj,max 175єC Ft,max 200MHz Cctip,pF 30 Hfe 10/150 Производитель TRW Caps MD36 Применение RF, Power Аналоги: KT909A,…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 2W Ucb,max 400V Uce,max 350V Ueb,max 6V Ic,max 1A Tj,max 175єC Ft,max 50MHz Cctip,pF 15 Hfe 15/250 Производитель SIEMENS Caps TO5 Применение RF, Medium Power, High…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 310mW Ucb,max 35V Uce,max 30V Ueb,max 3V Ic,max 50mA Tj,max 135єC Ft,max 50MHz Cctip,pF 4 Hfe 300MIN Производитель FAIRCHILD Caps TO92 Применение Low Power, Low Noise,…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 310mW Ucb,max 50V Uce,max 50V Ueb,max 3V Ic,max 50mA Tj,max 135єC Ft,max 40MHz Cctip,pF 4 Hfe 250MIN Производитель MOTOROLA Caps TO92 Применение Low Power, Low Noise,…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 310mW Ucb,max 50V Uce,max 50V Ueb,max 3V Ic,max 50mA Tj,max 135єC Ft,max 40MHz Cctip,pF 4 Hfe 150MIN Производитель MOTOROLA Caps TO92 Применение Low Power, General…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 87W Ucb,max 80V Uce,max 60V Ueb,max 5V Ic,max 5A Tj,max 200єC Ft,max 4MHz Cctip,pF - Hfe 20/80 Производитель MOTOROLA Caps TO3 Применение High Power, High Voltage,…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 70W Ucb,max 70V Uce,max 35V Ueb,max 4V Ic,max 10A Tj,max 200єC Ft,max 100MHz Cctip,pF 85 Hfe 10/100 Производитель RCA Caps TO62 Применение VHF, Power Аналоги: BLY60,…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 1W Ucb,max 250V Uce,max 250V Ueb,max 4V Ic,max 500mA Tj,max 200єC Ft,max 20MHz Cctip,pF 20 Hfe 20/200 Производитель MOTOROLA Caps TO5 Применение Medium Power, High…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 1W Ucb,max 200V Uce,max 200V Ueb,max 4V Ic,max 500mA Tj,max 200єC Ft,max 20MHz Cctip,pF 20 Hfe 20/200 Производитель MOTOROLA Caps TO5 Применение Medium Power, High…