Просмотр архива категории
Транзисторы
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 40W
Ucb,max 80V
Uce,max 80V
Ueb,max 5V
Ic,max 4A
Tj,max 150єC
Ft,max 25MHz
Cctip,pF 100
Hfe 750MIN
Производитель MOTOROLA
Caps TO126
Применение Darlington, Power…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 40W
Ucb,max 60V
Uce,max 60V
Ueb,max 5V
Ic,max 4A
Tj,max 150єC
Ft,max 25MHz
Cctip,pF 100
Hfe 750MIN
Производитель MOTOROLA
Caps TO126
Применение Darlington, Power…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 40W
Ucb,max 40V
Uce,max 40V
Ueb,max 5V
Ic,max 4A
Tj,max 150єC
Ft,max 25MHz
Cctip,pF 100
Hfe 750MIN
Производитель MOTOROLA
Caps TO126
Применение Darlington, Power…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 40W
Ucb,max 80V
Uce,max 80V
Ueb,max 5V
Ic,max 4A
Tj,max 150єC
Ft,max 25MHz
Cctip,pF 200
Hfe 750MIN
Производитель MOTOROLA
Caps TO126
Применение Darlington, Power…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 40W
Ucb,max 60V
Uce,max 60V
Ueb,max 5V
Ic,max 4A
Tj,max 150єC
Ft,max 25MHz
Cctip,pF 200
Hfe 750MIN
Производитель MOTOROLA
Caps TO126
Применение Darlington, Power…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 5W
Ucb,max 65V
Uce,max 35V
Ueb,max 3V
Ic,max 500mA
Tj,max 200єC
Ft,max -
Cctip,pF 4.5
Hfe 20/200
Производитель TRW
Caps TO128
Применение Ultra High Frequency, Medium…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 150W
Ucb,max 100V
Uce,max 100V
Ueb,max 7V
Ic,max 10A
Tj,max 200єC
Ft,max 1MHz
Cctip,pF 300
Hfe 25/100
Производитель MOTOROLA
Caps TO3
Применение High Power, High…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 140W
Ucb,max 70V
Uce,max 50V
Ueb,max 4V
Ic,max 12A
Tj,max 200єC
Ft,max 50MHz
Cctip,pF 170
Hfe 5/50
Производитель TRW
Caps TO218
Применение UHF, Power, High Current…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 140W
Ucb,max 150V
Uce,max 120V
Ueb,max 7V
Ic,max 30A
Tj,max 200єC
Ft,max 50MHz
Cctip,pF -
Hfe 20/100
Производитель STE
Caps TO3
Применение VHF, Power, High Voltage…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 150mW
Ucb,max 20V
Uce,max 15V
Ueb,max 3V
Ic,max 30mA
Tj,max 175єC
Ft,max 2GHz
Cctip,pF 0.7
Hfe 30MIN
Производитель NEC
Caps TO72
Применение Low Power, Switching…