Просмотр архива категории
Транзисторы
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 11W
Ucb,max 65V
Uce,max 40V
Ueb,max 4V
Ic,max 1.5A
Tj,max 200єC
Ft,max 400MHz
Cctip,pF 12
Hfe 10/200
Производитель RCA
Caps TO62
Применение UHF, Power, High Current…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 150mW
Ucb,max 15V
Uce,max 12V
Ueb,max -
Ic,max 25mA
Tj,max 200єC
Ft,max 400MHz
Cctip,pF 0.7
Hfe 40MIN
Производитель MOTOROLA
Caps TO72
Применение VHF, Low Power,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 310mW
Ucb,max 40V
Uce,max 40V
Ueb,max 5V
Ic,max 600mA
Tj,max 135єC
Ft,max 200MHz
Cctip,pF 9
Hfe 100MIN
Производитель MOTOROLA
Caps TO92
Применение Medium Power,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 310mW
Ucb,max 40V
Uce,max 40V
Ueb,max 5V
Ic,max 600mA
Tj,max 135єC
Ft,max 150MHz
Cctip,pF 9
Hfe 50/150
Производитель MOTOROLA
Caps TO92
Применение Medium Power,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 310mW
Ucb,max 60V
Uce,max 40V
Ueb,max 6V
Ic,max 600mA
Tj,max 135єC
Ft,max 250MHz
Cctip,pF 7
Hfe 100MIN
Производитель MOTOROLA
Caps TO92
Применение Medium Power,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 310mW
Ucb,max 60V
Uce,max 40V
Ueb,max 6V
Ic,max 600mA
Tj,max 135єC
Ft,max 200MHz
Cctip,pF 7
Hfe 50/150
Производитель MOTOROLA
Caps TO92
Применение Medium Power,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 5W
Ucb,max 175V
Uce,max 140V
Ueb,max 8V
Ic,max 1A
Tj,max 200єC
Ft,max 20MHz
Cctip,pF 25
Hfe 20/140
Производитель KELTRON
Caps TO5
Применение Medium Power, High…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 5W
Ucb,max 100V
Uce,max 80V
Ueb,max 6V
Ic,max 1A
Tj,max 200єC
Ft,max 80MHz
Cctip,pF -
Hfe 15MIN
Производитель STE
Caps TO5
Применение Medium Power, High Voltage…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 1W
Ucb,max 80V
Uce,max 80V
Ueb,max 7V
Ic,max 3A
Tj,max 200єC
Ft,max 3MHz
Cctip,pF 100
Hfe 30/150
Производитель MOTOROLA
Caps TO5
Применение High Power, High Voltage,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 310mW
Ucb,max 25V
Uce,max 25V
Ueb,max 4V
Ic,max 200mA
Tj,max 135єC
Ft,max 250MHz
Cctip,pF 5
Hfe 120MIN
Производитель FAIRCHILD
Caps TO92
Применение Low Power, General…