Просмотр архива категории
Транзисторы
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 23W
Ucb,max 65V
Uce,max 40V
Ueb,max 4V
Ic,max 3A
Tj,max 200єC
Ft,max 400MHz
Cctip,pF 20
Hfe 5MIN
Производитель MOTOROLA
Caps TO62
Применение UHF, Power, High Current…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 800mW
Ucb,max 80V
Uce,max 50V
Ueb,max 6V
Ic,max 500mA
Tj,max 175єC
Ft,max 300MHz
Cctip,pF 12
Hfe 60/150
Производитель STE
Caps TO5
Применение VHF, Medium Power,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 115W
Ucb,max 100V
Uce,max 80V
Ueb,max 10V
Ic,max 7A
Tj,max 200єC
Ft,max 10MHz
Cctip,pF 400
Hfe 40/120
Производитель MOTOROLA
Caps TO3
Применение RF, Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 360mW
Ucb,max 50V
Uce,max 40V
Ueb,max 5V
Ic,max 200mA
Tj,max 200єC
Ft,max 300MHz
Cctip,pF 6
Hfe 100MIN
Производитель STE
Caps TO18
Применение Medium Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 360mW
Ucb,max 60V
Uce,max 60V
Ueb,max 5V
Ic,max 200mA
Tj,max 200єC
Ft,max 250MHz
Cctip,pF 6
Hfe 50/150
Производитель FAIRCHILD
Caps TO18
Применение Medium Power,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 360mW
Ucb,max 50V
Uce,max 40V
Ueb,max 5V
Ic,max 200mA
Tj,max 180єC
Ft,max 250MHz
Cctip,pF 6
Hfe 50/150
Производитель FAIRCHILD
Caps TO18
Применение RF, Low Power,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 117W
Ucb,max 100V
Uce,max 70V
Ueb,max 7V
Ic,max 15A
Tj,max 200єC
Ft,max 200KHz
Cctip,pF -
Hfe 20/70
Производитель MOTOROLA
Caps TO3
Применение High Power, High…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 600mW
Ucb,max 60V
Uce,max 40V
Ueb,max 5V
Ic,max 600mA
Tj,max 200єC
Ft,max 200MHz
Cctip,pF 8
Hfe 20/120
Производитель STE
Caps TO39
Применение High-speed saturated…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 800mW
Ucb,max 120V
Uce,max 80V
Ueb,max -
Ic,max 500mA
Tj,max 200єC
Ft,max 90MHz
Cctip,pF 15
Hfe 100MIN
Производитель SEMELAB
Caps TO5
Применение RF, Medium Power, High…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 1W
Ucb,max 140V
Uce,max 90V
Ueb,max 7V
Ic,max 1A
Tj,max 200єC
Ft,max 50MHz
Cctip,pF 15
Hfe 60/200
Производитель FAIRCHILD
Caps TO5
Применение Medium Power, High…