Просмотр архива категории
Транзисторы
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 360mW
Ucb,max 40V
Uce,max 15V
Ueb,max 4V
Ic,max 200mA
Tj,max 200єC
Ft,max 500MHz
Cctip,pF 4
Hfe 40/120
Производитель FAIRCHILD
Caps TO18
Применение Ultra High…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 150mW
Ucb,max 50V
Uce,max 35V
Ueb,max 50V
Ic,max 100mA
Tj,max 200єC
Ft,max 1MHz
Cctip,pF 20
Hfe -
Производитель CSR
Caps TO18
Применение Low Power, General Purpose…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 150mW
Ucb,max 50V
Uce,max 35V
Ueb,max 50V
Ic,max 100mA
Tj,max 200єC
Ft,max 1MHz
Cctip,pF 20
Hfe -
Производитель CSR
Caps TO18
Применение Low Power, General Purpose…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 150mW
Ucb,max 30V
Uce,max 15V
Ueb,max 30V
Ic,max 100mA
Tj,max 200єC
Ft,max 1MHz
Cctip,pF 20
Hfe -
Производитель CSR
Caps TO18
Применение Low Power, General Purpose…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 150mW
Ucb,max 50V
Uce,max 35V
Ueb,max 50V
Ic,max 100mA
Tj,max 200єC
Ft,max 1MHz
Cctip,pF 20
Hfe -
Производитель CSR
Caps TO18
Применение Low Power, General Purpose…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 150mW
Ucb,max 50V
Uce,max 35V
Ueb,max 50V
Ic,max 100mA
Tj,max 200єC
Ft,max 1MHz
Cctip,pF 20
Hfe -
Производитель CSR
Caps TO18
Применение Low Power, General Purpose…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 150mW
Ucb,max 30V
Uce,max 15V
Ueb,max 30V
Ic,max 100mA
Tj,max 200єC
Ft,max 1MHz
Cctip,pF 20
Hfe -
Производитель CSR
Caps TO18
Применение Low Power, General Purpose…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 150mW
Ucb,max 30V
Uce,max 15V
Ueb,max 30V
Ic,max 100mA
Tj,max 200єC
Ft,max 1MHz
Cctip,pF 20
Hfe -
Производитель CSR
Caps TO18
Применение Low Power, General Purpose…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 150mW
Ucb,max 15V
Uce,max 5V
Ueb,max 15V
Ic,max 100mA
Tj,max 200єC
Ft,max 1MHz
Cctip,pF 20
Hfe -
Производитель CSR
Caps TO18
Применение Low Power, General Purpose…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 500mW
Ucb,max 75V
Uce,max 40V
Ueb,max 6V
Ic,max 800mA
Tj,max 175єC
Ft,max 300MHz
Cctip,pF 8
Hfe 100MIN
Производитель STE
Caps TO18
Применение High-speed switching…