Просмотр архива тегов

транзистор

Транзистор BC636

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 1W Ucb,max 45V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 1A Tj,max 150єC Ft,max 50MHz Cctip,pF - Hfe 40MIN Производитель TELEFUNKEN Caps TO92 Применение Medium Power, General…

Транзистор BC635

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 1W Ucb,max 45V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 1A Tj,max 150єC Ft,max 50MHz Cctip,pF - Hfe 40MIN Производитель TELEFUNKEN Caps TO92 Применение Medium Power, General…

Транзистор BC560C

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 500mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 150MHz Cctip,pF 4.5 Hfe 420MIN Производитель SIEMENS Caps TO92 Применение Low Power, Low…

Транзистор BC560B

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 500mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 150MHz Cctip,pF 4.5 Hfe 240MIN Производитель TELEFUNKEN Caps TO92 Применение Low Power, Low…

Транзистор BC560A

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 500mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 150MHz Cctip,pF 4.5 Hfe 125MIN Производитель TELEFUNKEN Caps TO92 Применение Low Power, Low…

Транзистор BC559C

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 500mW Ucb,max 30V Uce,max 25V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 75MHz Cctip,pF 7 Hfe 420MIN Производитель SIEMENS Caps TO92 Применение Low Power, Low Noise,…

Транзистор BC559B

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 500mW Ucb,max 30V Uce,max 25V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 75MHz Cctip,pF 7 Hfe 240MIN Производитель PHILIPS Caps TO226 Применение Medium Power, General…

Транзистор BC559A

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 500mW Ucb,max 30V Uce,max 25V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 75MHz Cctip,pF 7 Hfe 125MIN Производитель PHILIPS Caps TO226 Применение Medium Power, General…

Транзистор BC558C

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 500mW Ucb,max 30V Uce,max 25V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 75MHz Cctip,pF 7 Hfe 420MIN Производитель PHILIPS Caps TO226 Применение Low Power, Low Noise,…

Транзистор BC558A

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 500mW Ucb,max 30V Uce,max 25V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 75MHz Cctip,pF 7 Hfe 125MIN Производитель PHILIPS Caps TO226 Применение Medium Power, General…