Просмотр архива тегов

транзистор

Транзистор BC327-16

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 500mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 800mA Tj,max 150єC Ft,max 60MHz Cctip,pF 18 Hfe 100MIN Производитель SIEMENS Caps TO92 Применение Medium Power, General…

Транзистор BC309С

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 300mW Ucb,max 25V Uce,max 20V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 100MHz Cctip,pF 8 Hfe 270MIN Производитель ITT Caps TO226 Применение Low Power, Low Noise,…

Транзистор BC309B

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 300mW Ucb,max 25V Uce,max 20V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 100MHz Cctip,pF 8 Hfe 250MIN Производитель SIEMENS Caps TO226 Применение Low Power, Low…

Транзистор BC309A

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 300mW Ucb,max 25V Uce,max 20V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 100MHz Cctip,pF 8 Hfe 125MIN Производитель SIEMENS Caps TO226 Применение Low Power, Low…

Транзистор BC308C

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 300mW Ucb,max 30V Uce,max 25V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 100MHz Cctip,pF 8 Hfe 450MIN Производитель SIEMENS Caps TO226 Применение Low Power, General…

Транзистор BC308B

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 300mW Ucb,max 30V Uce,max 25V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 100MHz Cctip,pF 8 Hfe 240MIN Производитель SIEMENS Caps TO226 Применение Low Power, General…

Транзистор BC308A

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 300mW Ucb,max 30V Uce,max 25V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 100MHz Cctip,pF 8 Hfe 125MIN Производитель SIEMENS Caps TO226 Применение Low Power, General…

Транзистор BC307C

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 300mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 130MHz Cctip,pF 6 Hfe 500T Производитель SIEMENS Caps X10 Применение Low Power, Low Noise,…

Транзистор BC307B

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 300mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 130MHz Cctip,pF 6 Hfe 240MIN Производитель SIEMENS Caps X10 Применение Low Power, General…

Транзистор BC307А

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 300mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 130MHz Cctip,pF 6 Hfe 125MIN Производитель SIEMENS Caps X10 Применение Low Power, General…