транзистор

Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 65WUcb,max 80VUce,max 80VUeb,max 5VIc,max 5ATj,max 150єCFt,max Cctip,pF Hfe 1KMINПроизводитель TICaps TO220Применение Darlington, PowerАналоги: TIP122, 2SD633, 2SD970, ECG261, 

Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура pnpPc,max 50WUcb,max 100VUce,max 100VUeb,max 5VIc,max 4ATj,max 150єCFt,max Cctip,pF Hfe 750MINПроизводитель TICaps TO220Применение Darlington, PowerАналоги: BDX34C, 

Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура pnpPc,max 50WUcb,max 80VUce,max 80VUeb,max 5VIc,max 4ATj,max 150єCFt,max Cctip,pF Hfe 750MINПроизводитель TICaps TO220Применение Darlington, PowerАналоги: BDX34B, TIP117, 

Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура pnpPc,max 50WUcb,max 60VUce,max 60VUeb,max 5VIc,max 4ATj,max 150єCFt,max Cctip,pF Hfe 750MINПроизводитель TICaps TO220Применение Darlington, PowerАналоги: BDX34A, TIP116, TIP117, 

Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 50WUcb,max 100VUce,max 100VUeb,max 5VIc,max 4ATj,max 150єCFt,max Cctip,pF Hfe 750MINПроизводитель TICaps TO220Применение Darlington, PowerАналоги: BDX33C, 

Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 50WUcb,max 80VUce,max 80VUeb,max 5VIc,max 4ATj,max 150єCFt,max Cctip,pF Hfe 750MINПроизводитель TICaps TO220Применение Darlington, PowerАналоги: BDX33B, TIP112, 

Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 50WUcb,max 60VUce,max 60VUeb,max 5VIc,max 4ATj,max 150єCFt,max Cctip,pF Hfe 750MINПроизводитель TICaps TO220Применение Darlington, PowerАналоги: BDX33A, TIP111, TIP112, 

Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 400mWUcb,max 30VUce,max 15VUeb,max -Ic,max 50mATj,max 150єCFt,max 700MHzCctip,pF -Hfe 28/198Производитель SAMSUNGCaps TO92Применение Medium Power, SwitchingАналоги: 

Transistor Application AMPLIFIER Transistor Element Material SILICON Transistor Polarity NPN Power Dissipation Ambient-Max 0.4000 W Transistor Type RF SMALL SIGNAL Highest Frequency Band VERY…

Transistor Application AMPLIFIER Transistor Element Material SILICON Transistor Polarity NPN Power Dissipation Ambient-Max 0.4000 W Transistor Type RF SMALL SIGNAL Highest Frequency Band VERY HIGH…