SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2Fs
BC850B
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 330mW, B=200..450,250MHz
SOT-23
Производитель
Siemens AG www.siemens.de
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2FR
2SB1583-R
Silicon pnp transistor
General Purpose Applications, 185V, 50mA, 200MHz, B=120..240
SOT-416
Производитель
Panasonic (Matsushita) Electronics Corp.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2FQ
2SB1583-Q
Silicon pnp transistor
General Purpose Applications, 185V, 50mA, 200MHz, B=85..170
SOT-416
Производитель
Panasonic (Matsushita) Electronics Corp.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2Fp
BC850B
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=200..450, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2FN5L
81N25L-P-AE3-5
Voltage Detector integrated circuit
2.5V±2%, -Reset Open Drain Output, lead free
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2FN5G
81N25G-P-AE3-5
Voltage Detector integrated circuit
2.5V±2%, -Reset Open Drain Output, halogen free
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2FN5
81N25-P-AE3-5
Voltage Detector integrated circuit
2.5V±2%, -Reset Open Drain Output
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd. www.unisonic.com.tw…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2FN3L
81N25L-P-AE3-3
Voltage Detector integrated circuit
2.5V±2%, -Reset Open Drain Output, lead free
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2FN3G
81N25G-P-AE3-3
Voltage Detector integrated circuit
2.5V±2%, -Reset Open Drain Output, halogen free
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd.…