Транзистор BC560C
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 500mW
Ucb,max 50V
Uce,max 45V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 150MHz
Cctip,pF 4.5
Hfe 420MIN
Производитель SIEMENS
Caps TO92
Применение Low Power, Low…
Транзистор BC560B
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 500mW
Ucb,max 50V
Uce,max 45V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 150MHz
Cctip,pF 4.5
Hfe 240MIN
Производитель TELEFUNKEN
Caps TO92
Применение Low Power, Low…
Обзор LG G Pro Lite
LG, кажется, ориентации на индийский рынок прайс сознательных с удвоенной силой. В Южной Корее телефон maker был агрессивным в последнее время, с точки зрения выпускать смартфоны в разных ценовых сегментах, то, что делает Samsung…
Обзор LG G Flex
Наконец, LG представила свой первый смартфон изогнутый дисплей в Индии, Flex G, на мероприятии в Нью-Дели. Индийские потребители придется ждать до следующего года, чтобы получить их руки на устройстве, как G Flex будет доступен в Индии…
Транзистор BC560A
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 500mW
Ucb,max 50V
Uce,max 45V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 150MHz
Cctip,pF 4.5
Hfe 125MIN
Производитель TELEFUNKEN
Caps TO92
Применение Low Power, Low…
Транзистор BC559C
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 500mW
Ucb,max 30V
Uce,max 25V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 75MHz
Cctip,pF 7
Hfe 420MIN
Производитель SIEMENS
Caps TO92
Применение Low Power, Low Noise,…
Транзистор BC559B
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 500mW
Ucb,max 30V
Uce,max 25V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 75MHz
Cctip,pF 7
Hfe 240MIN
Производитель PHILIPS
Caps TO226
Применение Medium Power, General…