Транзисторы

IRFZ45

Alex 0
Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 150W Uds,max 60V Udg,max Ugs,max Id,max 35A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: STP36N06, КП723Б
Транзисторы

IRFZ44

Alex 0
Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 150W Uds,max 60V Udg,max Ugs,max Id,max 35A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: NDP6060, STP50N06,…
Транзисторы

BUZ36

Alex 0
Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 200V Udg,max Ugs,max Id,max 22A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) - Ciss - Rds,ohm 0.12 Caps TO3 Производитель SEMELAB Применение Аналоги: IRF252, КП722А…
Транзисторы

IRF720

Alex 0
Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 75W Uds,max 400V Udg,max 400V Ugs,max 20V Id,max 4.2A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 33/90 Ciss 450 Rds,ohm 1.800 Caps TO-220 Производитель STE Применение ENHANCEMENT…
Транзисторы

IRF453

Alex 0
Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 150W Uds,max 450V Udg,max Ugs,max Id,max 12A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) - Ciss - Rds,ohm 0.5 Caps TO3 Аналоги: КП718Е1
Транзисторы

BUZ45

Alex 0
Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 500V Udg,max Ugs,max Id,max 9.6A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) - Ciss - Rds,ohm 0.6 Caps TO3 Производитель SEMELAB Применение Аналоги: IRF452; КП718А…
Транзисторы

IRF350

Alex 0
Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 150W Uds,max 400V Udg,max Ugs,max Id,max 14A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 35/170nS Ciss 2600pF Rds,ohm 0.4 Caps TO3 Производитель SEMELAB Применение Аналоги:…
Транзисторы

IRF710

Alex 0
Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max Uds,max 400V Udg,max Ugs,max Id,max 2A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm 3.600 Caps N/A Производитель INTERSIL Применение Power MOSFET
Транзисторы

BUZ90

Alex 0
Тип FET транзистор  Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 75W Uds,max 600V Udg,max 600V Ugs,max ±20V Id,max 4.5A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 30/150nS Ciss 1050pF Rds,ohm 1.6 Caps TO220AB Производитель SIEMENS Применение…
Транзисторы

IRF640

Alex 0
Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 200V Udg,max 200V Ugs,max 20V Id,max 18A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 30/105 Ciss 2100 Rds,ohm 0.180 Caps TO-220 Производитель STE Применение…