RadioSchema.ru - Информационный сайт электроники и радиоэлектронных компонентов и изделий с подробными характеристиками в pdf, а также много инструкций для ваших гаджетов

Тип:pdf Размер:2.17 мегабайта

Тип:pdf Размер:5.95 мегабайт

Тип:pdf Размер:17.08 мегабайт

Тип:pdf Размер:891.7 килобайт

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 70W Uds,max 200V Udg,max 200V Ugs,max 20V Id,max 5A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 45/100 Ciss 600 Rds,ohm 0.800 Caps TO-220 Производитель STE Применение ENHANCEMENT…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 43W Uds,max 200V Udg,max Ugs,max - Id,max 2.6A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 38/34nS Ciss - Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: MTP2N18,…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 43W Uds,max 150V Udg,max Ugs,max - Id,max 3.3A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 38/34nS Ciss - Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 70W Uds,max 100V Udg,max 100V Ugs,max 20V Id,max 10A Tj,max 175єC Fr (ton/toff) 15/75nS Ciss 450pF Rds,ohm 0.270 Caps TO-220 Производитель STE Применение…

MOS FET Channel N 50V 1,4A 1W <0,3Ohm

MOS FET Channel N 240v 0, 25А 1W < 8 ом