Просмотр архива категории
Эл.компоненты
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2G
FT510Ga
Linear voltage regulator integrated circuit
Low drop voltage, 3.3V±2%, 500mA
SOT-23
Производитель
Fremont Micro Devices Inc. www.fremontmicro.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2G
FMMTA56
Silicon pnp transistor
Audio Frequency-Driver, 80V, 500mA, 300mW, B>100, >50MHz
SOT-23
Производитель
Zetex plc. www.zetex.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2G
CMBTA56
Silicon pnp transistor
Audio Frequency-Driver, 80V, 500mA, 250mW, B>100, >50MHz
SOT-23
Производитель
Continental Device India Limited www.cdil.com…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2G
BC850CW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=420..800, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2G
BC850CT
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=480, >100MHz
SOT-416
Производитель
Philips GmbH
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2G
BC850C
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=420..800, >100MHz
SOT-23
Производитель
Continental Device India Limited…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2FZ
BC850B
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 330mW, B=200..450, >300MHz
SOT-23
Производитель
Zetex plc. www.zetex.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2FW
BC850BW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=200..450, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips China;
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2FW
BC850B
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=200..450, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips China;
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2Ft
BC850BW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=200..450, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips, Malaysia (semiconductor…