Эл.компоненты

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2F MMBT2907AT Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 60V, 500mA, 310mW, B=75..300, <200MHz SOT-523 Производитель Diodes Inc. www.diodes.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2F MMBT2907A Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 60V, 500mA, 310mW, B=75..300, <200MHz SOT-23 Производитель Motorola Inc. www.motorola.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2F MBTA2907A Silicon pnp transistor Audio Frequency, 60V, 600mA, 250mW, B>50, >200MHz SOT-23 Производитель Toshiba Corporation www.toshiba.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2F MBT2907A Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 60V, 600mA, 330mW, B=100..300, >200MHz SOT-23 Производитель Toshiba Corporation www.toshiba.com…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2F KST2907A Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 60V, 600mA, 330mW, B=100..300, >200MHz SOT-23 Производитель Samsung Electronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2F FT510Fa Linear voltage regulator integrated circuit Low drop voltage, 3.0V±2%, 500mA SOT-23 Производитель Fremont Micro Devices Inc. www.fremontmicro.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2F FMMT2907A Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 60V, 600mA, 330mW, B=100..300, >200MHz SOT-23 Производитель Zetex plc. www.zetex.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2F BC850BW Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=200..450, >100MHz SOT-323 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2F BC850BT Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=250, >100MHz SOT-416 Производитель Philips GmbH

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2F BC850B Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=200..450, >100MHz SOT-23 Производитель Continental Device India Limited…