Просмотр архива категории
Эл.компоненты
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2R
2SC5632
Silicon npn transistor
High Frequency, Switching, 15V, 50mA, 150mW, 1.1GHz, B=100..350
SMini3-G1
Производитель
Panasonic (Matsushita) Electronics Corp.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2Q
TMPT5087
Silicon pnp transistor
General Purpose Applications, 50V, 50mA, 350mW, B=250..800, >40MHz
SOT-23
Производитель
Allegro MicroSystems Inc.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2Q
R3131N26AA3
Voltage Detector integrated circuit
2.6V±1.5%, +Reset Push-Pull Output, 50ms
SOT-23
Производитель
Ricoh Co., Ltd www.ricoh.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2Q
KST5087
Silicon pnp transistor
General Purpose Applications, 50V, 50mA, 350mW, B=250..800, >40MHz
SOT-23
Производитель
Samsung Electronics…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2Q
FMMT5209
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 50mA, 330mW, B=100..300, >30MHz
SOT-23
Производитель
Zetex plc. www.zetex.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2P
TMPT5086
Silicon pnp transistor
General Purpose Applications, 50V, 50mA, 350mW, B=150..500, >40MHz
SOT-23
Производитель
Allegro MicroSystems Inc.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2P
R3131N26HC3
Voltage Detector integrated circuit
2.6V±1.5%, +Reset Open Drain Output, 400ms
SOT-23
Производитель
Ricoh Co., Ltd www.ricoh.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2P
MMBT5086
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 50mA, 350mW, B=150..500, >40MHz
SOT-23
Производитель
Motorola Inc. www.motorola.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2P
KST5086
Silicon pnp transistor
General Purpose Applications, 50V, 50mA, 350mW, B=150..500, >40MHz
SOT-23
Производитель
Samsung Electronics…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
2P
FMMT2222R
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 60V, 600mA, 330mW, B=120..360, >250MHz
SOT-23
Производитель
Zetex plc. www.zetex.com