3-pin

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1E BC847AW Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=110..220, >100MHz SOT-323 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1E BC847AT Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 150mW, B=110..220, >100MHz SOT-416 Производитель Philips GmbH

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1E BC847AF Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=110..220,250MHz SOT-490 Производитель Philips GmbH

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1E BC847A Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=110..220, >100MHz SOT-23 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1DW BC846W Silicon npn transistor General Purpose Applications, 80V, 100mA, 200mW, B=110..450, >100MHz SOT-323 Производитель Philips China;

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1DW BC846 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 80V, 100mA, 250mW, B=110..450, >100MHz SOT-23 Производитель Philips China;

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1DT 2SD1328-T Silicon npn transistor Audio Frequency-Amplifier, 25V, 500mA, 200mW, 200MHz, B=400..800 SC-59 Производитель Panasonic (Matsushita) Electronics Corp.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Dt BC846W Silicon npn transistor General Purpose Applications, 80V, 100mA, 200mW, B=110..450, >100MHz SOT-323 Производитель Philips, Malaysia (semiconductor…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Dt BC846 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 80V, 100mA, 250mW, B=110..450, >100MHz SOT-23 Производитель Philips, Malaysia (semiconductor…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1DS 2SD1328-S Silicon npn transistor Audio Frequency-Amplifier, 25V, 500mA, 200mW, 200MHz, B=300..500 SC-59 Производитель Panasonic (Matsushita) Electronics Corp.…