2017

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2G CMBTA56 Silicon pnp transistor Audio Frequency-Driver, 80V, 500mA, 250mW, B>100, >50MHz SOT-23 Производитель Continental Device India Limited www.cdil.com…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2G BC850CW Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=420..800, >100MHz SOT-323 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2G BC850CT Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=480, >100MHz SOT-416 Производитель Philips GmbH

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2G BC850C Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=420..800, >100MHz SOT-23 Производитель Continental Device India Limited…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2FZ BC850B Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 330mW, B=200..450, >300MHz SOT-23 Производитель Zetex plc. www.zetex.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2FW BC850BW Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=200..450, >100MHz SOT-323 Производитель Philips China;

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2FW BC850B Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=200..450, >100MHz SOT-23 Производитель Philips China;

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2Ft BC850BW Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=200..450, >100MHz SOT-323 Производитель Philips, Malaysia (semiconductor…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2FS 2SB792A-S Silicon pnp transistor Audio Frequency, Low Noise, 185V, 50mA, 200mW, B=185..330,200MHz SC-59 Производитель Panasonic (Matsushita) Electronics Corp.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2FS 2SB1583-S Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 185V, 50mA, 200MHz, B=170..340 SOT-416 Производитель Panasonic (Matsushita) Electronics Corp.…