2017

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2Fs BC850BT Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=250, >100MHz SOT-416 Производитель Infineon Technologies AG www.infineon.com…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2Fs BC850B Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 330mW, B=200..450,250MHz SOT-23 Производитель Siemens AG www.siemens.de

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2FR 2SB792A-R Silicon pnp transistor Audio Frequency, Low Noise, 185V, 50mA, 200mW, B=130..220,200MHz SC-59 Производитель Panasonic (Matsushita) Electronics Corp.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2FR 2SB1583-R Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 185V, 50mA, 200MHz, B=120..240 SOT-416 Производитель Panasonic (Matsushita) Electronics Corp.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2FQ 2SB1583-Q Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 185V, 50mA, 200MHz, B=85..170 SOT-416 Производитель Panasonic (Matsushita) Electronics Corp.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2Fp BC850B Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=200..450, >100MHz SOT-23 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2FN5L 81N25L-P-AE3-5 Voltage Detector integrated circuit 2.5V±2%, -Reset Open Drain Output, lead free SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2FN5G 81N25G-P-AE3-5 Voltage Detector integrated circuit 2.5V±2%, -Reset Open Drain Output, halogen free SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2FN5 81N25-P-AE3-5 Voltage Detector integrated circuit 2.5V±2%, -Reset Open Drain Output SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd. www.unisonic.com.tw…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2FN3L 81N25L-P-AE3-3 Voltage Detector integrated circuit 2.5V±2%, -Reset Open Drain Output, lead free SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd.…