Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 75W
Uds,max 600V
Udg,max 600V
Ugs,max ±20V
Id,max 4.5A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 30/150nS
Ciss 1050pF
Rds,ohm 1.6
Caps TO220AB
Производитель SIEMENS
Применение SIPMOS Power V-MOS
Аналоги: BUK455-600A, BUK455-600B,