Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 90W
Uds,max 60V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 25A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: NDP5060L, STP32N0 6L, STP36N06L, КП727В,