IRFZ34

Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 90W
Uds,max 60V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 30A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: NDP5060, STP30N06, КП727Б